2026 年 4 月，全球存储芯片迎来史上最强涨价周期，从预期上涨转为全品类、大幅度、持续性暴涨，核心是 AI 算力需求重构与供给端产能错配共振。TrendForce 最新报告大幅上调价格预期：一季度 DRAM 合约价从预估 55% 上调至95%，创单季涨幅纪录；NAND Flash 从 33% 上调至60%；HBM（高带宽存储）缺口达50%-60%，价格较 2025 年初涨超 200%，交付周期延至 6 个月以上。

需求端，AI 大模型训练 / 推理对存储容量、带宽、速度呈指数级提升：一台 AI 服务器需 8-16 颗 HBM3E，容量是传统服务器 10 倍以上，同时拉动 DDR5、企业级 NAND 需求。Gartner 预测 2026 年全球 AI 基础设施支出 4500 亿美元，存储占比超 30%，HBM 市场规模达 546 亿美元、增 58%，成为存储第一增长曲线。英伟达、微软、谷歌、Meta 等疯狂扩建数据中心，抢购高端存储，直接引爆需求。供给端，三星、SK 海力士、美光三大原厂将 70% 以上新增产能从消费电子转向 HBM、高端 DRAM，压缩传统存储供给；过去几年行业下行，原厂削减资本开支、延缓扩产，当前库存处于历史低位，供给弹性不足，放大涨价压力。

3-4 月，三大原厂密集官宣涨价：三星 4 月 7 日宣布二季度 DRAM 涨 30%，HBM、消费内存同步上调，一季度 DRAM 同比涨 100%；SK 海力士 HBM3E 涨 40%、DDR5 涨 25%；美光 NAND 涨 20%-30%、企业级存储涨 35%。国内长江存储、长鑫存储同步调价，长江存储 294 层 3D NAND 量价齐升、市占率超 10%，长鑫存储 DDR5 产能释放、价格跟随全球，国产存储地位显著提升。

涨价已传导至全产业链：晶圆代工厂力积电 8 英寸驱动 IC 代工涨 30%；IC 设计厂奕力、矽创驱动芯片涨 15%-20%；ABF 载板、MLCC 等配套元器件同步上涨，下游服务器、PC、手机厂商承压，小米、戴尔等上调终端价格，同时加大国产存储采购以降成本、保供应。

高盛预测，本轮涨价将持续至 2027 年，2026 全年 DRAM 涨 250%-280%、NAND 涨 200%-250%，存储进入最强盈利周期。对中国而言，这是国产存储黄金窗口期：价格上涨提升盈利，加速技术迭代与扩产；供应链紧张推动国际厂商加大国产采购，长江存储、长鑫存储有望缩小与国际巨头差距。同时需警惕产能盲目扩张，未来 HBM 产能释放将修复供需，但 AI 驱动的存储长期增长不可逆转，存储从周期性行业转向 AI 算力驱动的成长性行业。