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台积电上调 2026 资本开支至 560 亿,2nm 量产、3nm 扩产押注 AI
来源: | 作者:佚名 | 发布时间: 2026-04-25 | 0 次浏览 | 🔊 点击朗读正文 ❚❚ | 分享到:
2026 年 4 月 16 日,台积电发布一季度财报,将全年资本开支上调至540-560 亿美元(上限 560 亿),创历史新高。重点投向 2nm 量产、3nm 扩产、先进封装及海外晶圆厂;2nm 已量产,3nm 产能满载,AI 芯片订单排至 2027 年,巩固全球先进制程主导地位。

2026 年 4 月 16 日,全球晶圆代工龙头台积电发布一季度财报并召开投资者会议,释放 AI 算力驱动半导体产业长期增长的明确信号。一季度营收 208.5 亿美元,同比增 32.7%;净利润 92.3 亿美元,同比增 41.2%,毛利率 67.2%,均超市场预期。增长核心来自 AI 芯片代工,7nm 及以下先进制程贡献 74% 营收,3nm 占 25%、5nm 占 36%,英伟达、AMD、谷歌等 AI 巨头订单持续爆满,3nm、5nm 产线满产,产能缺口持续扩大。

基于 AI 算力需求的指数级增长,台积电 CEO 魏哲家宣布上调 2026 年资本开支至540-560 亿美元,上限 560 亿美元为历史最高,较 2025 年 430 亿美元增超 30%。资金投向三大核心:一是推进 2nm 量产与扩产,2nm 采用 GAA 全环绕栅极,较 3nm 性能提 15%、功耗降 30%、面积缩 10%,一季度已量产,首批客户含英伟达、苹果、高通,计划 2026 年底月产能达 10 万片,2027 年扩至 20 万片;二是扩大 3nm、5nm 产能,3nm 订单排至 2027 年下半年,新增 3 条 3nm 产线,优化 5nm 产能结构,优先保障 AI 芯片;三是加速全球布局与先进封装,美国亚利桑那厂一期(5nm)投产、二期(3nm)提速,日本熊本厂直接建 3nm 产线,德国德累斯顿厂启动,同时加大 CoWoS、InFO 先进封装投入,解决 AI 芯片封装瓶颈,2026 年封装产能计划提升 40%36氪。

此次扩产背后是全球 AI 算力军备竞赛,一台 AI 服务器对先进制程、HBM 存储需求是传统服务器 8-10 倍,数据中心建设加速导致产能供不应求。台积电明确 2026 年先进制程产能优先分配 AI 芯片,消费电子产能受挤压,AI 芯片代工营收占比将突破 40%。但挑战也显著:2nm 晶圆厂单座成本超 250 亿美元,资本压力巨大;地缘政治推动海外建厂,抬升运营成本;三星、英特尔加速追赶,三星 3nm GAA 持续优化,英特尔 18A(等效 2nm)计划 2026 下半年量产,三足鼎立格局形成。

从行业影响看,560 亿美元开支将拉动 ASML、应用材料等设备商需求;先进制程紧缺推高代工价格,传导至下游算力成本;中国大陆企业受出口管制难以获取 2nm/3nm 产能,加速国产先进制程与封装攻关。台积电以技术、产能、生态优势主导 AI 代工,但竞争加剧、供应链重构将持续深化,先进制程产能争夺将成为未来 3 年行业主线。